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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3 PDF预览

SIR422DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 09:25:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
13页 496K
描述
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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SIR422DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.54
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：242479Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：PowerPAK SO-8Samacsys Released Date：2017-11-22 12:21:47
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：20.5 A最大漏源导通电阻：0.0066 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：34.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIR422DP-T1-GE3 数据手册

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SiR422DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
40  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.0066 at VGS = 10 V  
0.008 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
40  
16.1 nC  
40  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PowerPAK® SO-8  
APPLICATIONS  
S
•
POL  
6.15 mm  
5.15 mm  
D
1
S
•
Synchronous Rectification  
2
S
3
G
4
D
8
D
G
7
D
6
D
5
S
Bottom View  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SiR422DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
40  
Unit  
V
20  
40a  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
40a  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
20.5b, c  
16.4b, c  
70  
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IDM  
IAS  
EAS  
30  
45  
40a  
4.1b, c  
34.7  
22.2  
5b, c  
3.2b, c  
- 55 to 150  
260  
L = 0.1 mH  
mJ  
A
T
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IS  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
20  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
25  
°C/W  
3.1  
3.6  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C. Package limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed  
and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 70 °C/W.  
Document Number: 65025  
S09-1336-Rev. A, 13-Jul-09  
www.vishay.com  
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