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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIR424DP-T1-GE3
SIR424DP-T1-GE3 PDF预览

SIR424DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 12:20:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
13页 498K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SIR424DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.55
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：403611Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：PowerPAK SO-8Samacsys Released Date：2016-10-17 09:36:27
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：23.4 A最大漏源导通电阻：0.0055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：41.7 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIR424DP-T1-GE3 数据手册

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SiR424DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
30a  
30a  
0.0055 at VGS = 10 V  
0.0074 at VGS = 4.5 V  
•
•
20  
9.6 nC  
• 100 % UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
•
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
Buck Converters  
• POL  
DC/DC  
S
•
6.15 mm  
5.15 mm  
1
D
S
2
S
3
•
G
4
D
8
D
G
7
D
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information:  
SiR424DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
20  
Unit  
V
20  
30a  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
30a  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
23.4b, c  
18.7b, c  
70  
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IDM  
IAS  
EAS  
35  
L = 0.1 mH  
mJ  
A
61  
30a  
T
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IS  
4b, c  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
41.7  
26.7  
4.8b, c  
3.1b, c  
- 55 to 150  
260  
T
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
21  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
26  
°C/W  
2.4  
3.0  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C. Package limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 70 °C/W.  
Document Number: 64830  
S09-0854-Rev. A, 18-May-09  
www.vishay.com  
1
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