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SIR416DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 09:25:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
13页 479K
描述
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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SIR416DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.14雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.0038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：69 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIR416DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiR416DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, e  
50  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
0.0038 at VGS = 10 V  
0.0042 at VGS = 4.5 V  
PowerPAK SO-8  
•
•
•
40  
28.2 nC  
50  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
D
S
•
POL  
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
•
Synchronous Rectification  
2
S
3
G
4
D
8
G
D
7
D
6
D
5
S
Bottom View  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SiR416DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
V
VGS  
20  
50e  
T
C = 25 °C  
50e  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
27.5b, c  
21.9b, c  
70  
50e  
4.7b, c  
40  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
80  
69  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
44.4  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.2b, c  
3.3b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)f, g  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
19  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
24  
°C/W  
1.2  
1.8  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
e. Package limited.  
f. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
g. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 64985  
S09-1001-Rev. A, 01-Jun-09  
www.vishay.com  
1
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SIR416DP-T1-GE3 替代型号

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