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SIJ458DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 19:53:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 133K
描述
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SIJ458DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：35.5 A最大漏源导通电阻：0.0022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIJ458DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiJ458DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, g  
60  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.0022 at VGS = 10 V  
0.0026 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
30  
40.6 nC  
60  
PowerPAK® SO-8L Single  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
POL  
VRM  
D
DC/DC Converters  
High Current Switching  
D
4
G
G
3
S
2
S
1
S
S
Ordering Information:  
SiJ458DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
60g  
60g  
35.5b, c  
28.4b, c  
80  
60g  
4.5b, c  
40  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS  
mJ  
W
80  
69.4  
44.4  
5.0b, c  
3.2b, c  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
20  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
25  
°C/W  
Steady State  
RthJC  
1.3  
1.8  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8L is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 65 °C/W.  
g. Package limited.  
Document Number: 65709  
S10-0640-Rev. A, 22-Mar-10  
www.vishay.com  
1
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