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SIJ400DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 21:21:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 140K
描述
N-CH MOSFET PPAKSO8L 30V 4MOHM@10V - Tape and Reel

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SIJ400DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A最大漏极电流 (ID)：26.3 A
最大漏源导通电阻：0.004 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G5JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIJ400DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiJ400DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
I
D (A)a, g  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.004 at VGS = 10 V  
0.005 at VGS = 4.5 V  
32  
32  
•
•
•
•
30  
45 nC  
PowerPAK® SO-8L Single  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
•
POL  
D
VRM  
DC/DC  
D
4
G
G
3
S
2
S
1
S
S
Ordering Information:  
SiJ400DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
32g  
32g  
26.3b, c  
21b, c  
80  
32g  
4.5b, c  
40  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS  
mJ  
W
80  
69.4  
44.4  
5.0b, c  
3.2b, c  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
20  
25  
°C/W  
Steady State  
RthJC  
1.3  
1.8  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8L is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
g. Package limited.  
Document Number: 64986  
S09-1094-Rev. A, 15-Jun-09  
www.vishay.com  
1
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SIJ400DP-T1-GE3 替代型号

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