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SIHFL110T

更新时间： 2024-10-16 06:11:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1456K
描述
Power MOSFET

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SIHFL110T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.11其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.54 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHFL110T 数据手册

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IRFL110, SiHFL110  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Surface Mount  
100  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.54  
RoHS*  
COMPLIANT  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Qg (Max.) (nC)  
8.3  
2.3  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
3.8  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The SOT-223 package is designed for surface-mounting  
using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
Its unique package design allows for easy automatic  
pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance due  
to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of  
greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount  
application.  
SOT-223  
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
SOT-223  
SOT-223  
IRFL110PbF  
SiHFL110-E3  
IRFL110  
IRFL110TRPbFa  
SiHFL110T-E3a  
IRFL110TRa  
SiHFL110Ta  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFL110  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
SYMBOL  
LIMIT  
100  
UNIT  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
1.5  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
0.96  
12  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.025  
0.017  
150  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
EAS  
IAR  
mJ  
A
1.5  
Repetitive Avalanche Energya  
EAR  
0.31  
3.1  
mJ  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
TC = 25 °C  
PD  
W
V/ns  
°C  
TA = 25 °C  
2.0  
dV/dt  
5.5  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
300d  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 25 mH, RG = 25 Ω, IAS = 3.0 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91192  
S-81361-Rev. A, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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