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SIHFL110TR-GE3 PDF预览

SIHFL110TR-GE3

更新时间： 2024-12-01 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1505K
描述
TRANSISTOR 1500 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Small Signal

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SIHFL110TR-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.08
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1626661Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-223Samacsys Released Date：2018-12-01 12:02:17
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.54 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHFL110TR-GE3 数据手册

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IRFL110, SiHFL110  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
• Surface Mount  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
• Ease of Paralleling  
100  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.54  
Qg (Max.) (nC)  
8.3  
2.3  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
3.8  
• Simple Drive Requirements  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The SOT-223 package is designed for surface-mounting  
using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
Its unique package design allows for easy automatic  
pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but  
has the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of  
greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount  
application.  
SOT-223  
D
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SOT-223  
SOT-223  
SiHFL110-GE3  
IRFL110PbF  
SiHFL110-E3  
IRFL110  
SiHFL110TR-GE3a  
IRFL110TRPbFa  
SiHFL110T-E3a  
IRFL110TRa  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFL110  
SiHFL110Ta  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
100  
20  
1.5  
0.96  
12  
V
TC = 25 °C  
TC = 100 °C  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.025  
0.017  
150  
1.5  
0.31  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
EAS  
IAR  
EAR  
mJ  
A
mJ  
Repetitive Avalanche Energya  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
3.1  
2.0  
5.5  
PD  
W
V/ns  
°C  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
300d  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 25 mH, Rg = 25 Ω, IAS = 3.0 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91192  
S10-1257-Rev. C, 31-May-10  
www.vishay.com  
1
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