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SIHFL110TR-GE3

更新时间： 2024-10-16 14:44:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网 PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1505K
描述
TRANSISTOR 1500 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Small Signal

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SIHFL110TR-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1626661	Samacsys Pin Count：	4
Samacsys Part Category：	Transistor	Samacsys Package Category：	SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT-223	Samacsys Released Date：	2018-12-01 12:02:17
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	0.54 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFL110TR-GE3 数据手册

IRFL110, SiHFL110

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

100

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.54

Q_g(Max.) (nC)

8.3

2.3

_gs(nC)

_gd(nC)

3.8

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The SOT-223 package is designed for surface-mounting

using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Its unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but

has the added advantage of improved thermal performance

due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of

greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

SOT-223

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SOT-223

SiHFL110-GE3

IRFL110PbF

SiHFL110-E3

IRFL110

SiHFL110TR-GE3^a

IRFL110TRPbF^a

SiHFL110T-E3^a

IRFL110TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL110

SiHFL110T^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

100

1.5

0.96

T_C= 25 °C

T_C= 100 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.025

0.017

150

1.5

0.31

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

E_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

3.1

2.0

5.5

P_D

V/ns

°C

dV/dt

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 25 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 3.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91192

S10-1257-Rev. C, 31-May-10

www.vishay.com

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SIHFL210-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFL210-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 960 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
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SIHFL210TR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 960 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
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