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SIHFL9014TR-GE3

更新时间： 2024-10-16 20:38:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	169K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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SIHFL9014TR-GE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFL9014TR-GE3 数据手册

IRFL9014, SiHFL9014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

- 60

_DS(on)()

V_GS= - 10 V

0.50

Q_g(Max.) (nC)

3.8

5.1

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

DESCRIPTION

SOT-223

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The SOT-223 package is designed for surface-mounting

using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Its unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but

has the added advantage of improved thermal performace

due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of

greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SOT-223

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFL9014-GE3

IRFL9014PbF

SiHFL9014-E3

IRFL9014

SiHFL9014TR-GE3

IRFL9014TRPbF^a

SiHFL9014T-E3^a

IRFL9014TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL9014

SiHFL9014T^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 1.8

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C= 100 °C

- 1.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

- 14

Linear Derating Factor

0.025

0.017

140

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

- 1.8

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

0.31

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

3.1

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.0

dV/dt

- 4.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 50 mH, R_g= 25 , I_AS= - 1.8 A (see fig. 12).

c. I_SD - 6.7 A, dI/dt  90 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91195

S11-0893-Rev. D, 16-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SIHFL9110-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 1100 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
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SIHFL9110TR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 1100 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
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