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SIHFP064

更新时间： 2024-10-16 09:25:31
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1689K
描述
Power MOSFET

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SIHFP064 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.19Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：520 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHFP064 数据手册

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IRFP064, SiHFP064  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Ultra Low On- Resistance  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.009  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
190  
55  
• Very Low Thermal Resistance  
• Isolated Central Mounting Hole  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
90  
Configuration  
Single  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
DESCRIPTION  
TO-247AC  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The  
TO-247AC  
package  
is  
preferred  
for  
commercial-industrial applications where higher power  
levels preclude the use of TO-220AB devices. The  
TO-247AC is similar but superior to the earlier TO-218  
package because its isolated mounting hole. It also provides  
greater creepage distances between pins to meet the  
requirements of most safety specifications.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247AC  
IRFP064PbF  
SiHFP064-E3  
IRFP064  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP064  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
60  
V
20  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
70  
Continuous Drain Currente  
VGS at 10 V  
ID  
T
70  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
520  
Linear Derating Factor  
2.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
1000  
70  
EAR  
PD  
30  
300  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
- 55 to + 175  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
300  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 69 μH, Rg = 25 Ω, IAS = 130 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 130 A, dI/dt ≤ 300 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Current limited by the package (die current = 130 A).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91201  
S11-0447-Rev. C, 14-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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