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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFP054
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SIHFP054

更新时间： 2024-10-16 09:25:31
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1561K
描述
Power MOSFET

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SIHFP054 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.21Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：373 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHFP054 数据手册

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IRFP054, SiHFP054  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
Available  
• Isolated Central Mounting Hole  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.014  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
Qgs (nC)  
160  
48  
• Ease of Paralleling  
Qgd (nC)  
54  
• Simple Drive Requirements  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Configuration  
Single  
D
TO-247AC  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The  
TO-247AC  
package  
is  
preferred  
for  
S
D
commercial-industrial applications where higher power  
levels preclude the use of TO-220AB devices. The  
TO-247AC is similar but superior to the earlier TO-218  
package because of its isolated mouting hole. It also  
provides greater creepage distance between pins to meet  
the requirements of most safety specifications.  
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247AC  
IRFP054PbF  
SiHFP054-E3  
IRFP054  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP054  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
VDS  
60  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
20  
Continuous Drain Currente  
T
C = 25 °C  
70  
VGS at 10 V  
ID  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Currenta  
TC = 100 °C  
64  
360  
IDM  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
EAS  
PD  
373  
T
C = 25 °C  
230  
W
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
- 55 to + 175  
300  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 92 μH, Rg = 25 Ω, IAS = 90 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 90 A, dI/dt ≤ 200 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Current limited by the package, (die current = 90 A).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91200  
S11-0447-Rev. C, 14-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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