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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHFL9014T-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFL9014TR-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| SIHFL9110 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFL9110-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFL9110-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 1100 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP |
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| SIHFL9110T | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFL9110TR-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 1100 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP |
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| SIHFP044 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFP044-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| SIHFP048 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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