是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.08 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.79 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.79 A |
最大漏源导通电阻: | 2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3.1 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHFL214T | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFL214T-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFL214TR-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL | |
SIHFL9014 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFL9014-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFL9014-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 1800 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL | |
SIHFL9014T | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFL9014T-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFL9014TR-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal | |
SIHFL9110 | VISHAY |
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Power MOSFET |