Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFL014T-E3

SIHFL014T-E3

更新时间： 2024-12-01 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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Power MOSFET

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SIHFL014T-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A
最大漏极电流 (ID)：	2.7 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFL014T-E3 数据手册

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

R_DS(on)(Max.) (Ω)

Q_g(Max.) (nC)

V_GS= 10 V

1.0

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

5.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

9.3

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Sspeed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

N-Channel MOSFET

• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset

• Single Transistor Forward Xfmr. Reset

(Both US Line Input Only)

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRF730ASPbF

SiHF730AS-E3

IRF730AS

IRF730ASTRLPbF^a

SiHF730ASTL-E3^a

IRF730ASTRL^a

IRF730ASTRRPbF^a

SiHF730ASTR-E3^a

IRF730ALPbF

Lead (Pb)-free

SiHFL014T-E3

SnPb

SiHF730AS

SiHF730ASTL^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

400

_C= 25 °C

5.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.5

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

0.6

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

290

5.5

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

4.6

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 19 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.5 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF730A/SiHF730A data and test condition

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91046

S-Pending-Rev. A, 30-May-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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