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SI9430DYD84Z

更新时间： 2024-11-12 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	256K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SI9430DYD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	5.8 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI9430DYD84Z 数据手册

June 1999

Si9430DY*

Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET

General Description

Features

This P-Channel Enhancement Mode MOSFET is produced

using Fairchild Semiconductor's advance process that

has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

-5.8 A, -20 V. R_DS(on)= 0.050 Ω @ V_GS= -10 V

R_DS(on)= 0.090 Ω @ V_GS= -4.5 V.

Low gate charge.

Fast switching speed.

This device is well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss

and fast switching are required.

High power and current handling capability.

Applications

Battery switch

Load switch

Motor controls

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Si9430DY Rev. A

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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