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SI9434BDY-E3

更新时间： 2024-11-12 19:51:27

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威世 - VISHAY		/
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6页	79K
描述
Transistor

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SI9434BDY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI9434BDY-E3 数据手册

Si9434BDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.040 @ V = −4.5 V

−6.3

−5.1

−20

0.055 @ V = −2.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si9434BDY—E3 (Lead (Pb)-Free)

Si9434BDY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−20

= 25_C

= 70_C

−6.3

−5.0

−4.5

−3.6

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−20

Continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.3

2.5

−1.2

1.3

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.6

0.8

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 73050

S-41501—Rev. A, 09-Aug-04

www.vishay.com

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