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SI9435DYL99Z

更新时间： 2024-09-24 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI9435DYL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：5.3 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9435DYL99Z 数据手册

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January 2001  
Si9435DY  
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced  
• –5.3 A, –30 V. RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –10 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor's  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
R
DS(ON) = 80 mΩ @ VGS = –4.5 V  
• Low gate charge  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
• Fast switching speed  
• High performance trench technology for extremely  
Applications  
low RDS(ON)  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• High power and current handling capability  
• Motor Drive  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
–30  
Units  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
-5.3  
-20  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
PD  
W
1.2  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
9435  
Si9435DY  
13’’  
12mm  
2500 units  
Si9435DY Rev A(W)  
2001 Fairchild Semiconductor International  
12345

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与SI9435DYL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9435DY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI9436DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9529DY VISHAY

获取价格

 		Dual N- and P-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET
SI9529DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI9529DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI9529DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI9600EY TEMIC

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