SI9529DY

更新时间： 2024-09-23 22:33:59

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
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描述
Dual N- and P-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET

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SI9529DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI9529DY 数据手册

Si9529DY

Dual N- and P-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET

Product Summary

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.03 @ V = 4.5 V

"5.2

N-Channel

P-Channel

0.04 @ V = 2.5 V

0.05 @ V = –4.5 V

–12

0.074 @ V = –2.5 V

"4.1

SO-8

2 2

Top View

N-Channel MOSFET

P-Channel MOSFET

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25_C Unless Otherwise Noted)

Parameter

Symbol

N-Channel

P-Channel

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–12

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

"4.8

"20

1.7

"4.0

"20

–1.7

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

2.0

1.3

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

N- or P- Channel

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70161.

Siliconix

S-49520—Rev. D, 18-Dec-96

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