SI9435BDY

更新时间： 2024-11-11 22:33:59

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	69K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI9435BDY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.49	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI9435BDY 数据手册

Si9435BDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.042 @ V = −10 V

−5.7

−5.0

−4.4

−30

0.055 @ V = −6

0.070 @ V = −4.5

SO-8

Top View

Ordering Information: Si9435BDY

Si9435BDY-T1 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−30

"20

= 25_C

= 70_C

−4.1

−3.2

−5.7

−4.6

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−30

continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.3

2.5

−1.1

1.3

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.6

0.8

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72245

S-32274—Rev. B, 03-Nov-03

www.vishay.com

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SI9435BDY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI9430DY	FAIRCHILD	功能相似	Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET

与SI9435BDY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI9435BDY (KI9435BDY)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
SI9435BDY_05	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9435BDY_13	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9435BDY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI9435BDY-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9435DY	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI9435DY	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
SI9435DYD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI9435DY-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI9435DYL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal