生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.69 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 4.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MS-012AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI9434DY | VISHAY |
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P-Channel Enhancement-Mode MOSFET | |
SI9434DY | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, | |
SI9434DY-E3 | VISHAY |
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Transistor, | |
SI9434DY-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI9434DY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI9435 | FAIRCHILD |
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P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | |
SI9435BDY | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI9435BDY (KI9435BDY) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
SI9435BDY_05 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI9435BDY_13 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |