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SI9434DY-E3

更新时间： 2024-11-12 14:44:43

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威世 - VISHAY		/
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5页	71K
描述
Transistor,

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SI9434DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI9434DY-E3 数据手册

Si9434DY

Siliconix

P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

PRODUCT SUMMARY

(V)

(W)

I (A)

DS(ON)

0.040 @ V = –4.5 V

"6.4

"5.1

–20

0.060 @ V = –2.5 V

Recommended upgrade: Si9424DY

S S

SO-8

Top View

D D D

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

= 25_C

= 70_C

"6.4

"5.1

"10

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–2.5

= 25_C

= 70_C

2.5

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

A. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70147.

A SPICE Model data sheet is available for this product (FaxBack document #70528).

Vishay-Siliconix, 2201 Laurelwood Road, Santa Clara, CA 95054

Phone (408)988-8000

FaxBack (408)970-5600

www.siliconix.com

S-56981—Rev. H, 15-Jun-98 Siliconix was formerly a division of TEMIC Semiconductors

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