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SI9433DY-T1

更新时间： 2024-11-12 21:17:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	67K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI9433DY-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	5.4 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI9433DY-T1 数据手册

Si9433DY

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.045 @ V = –4.5 V

"5.4

"4.2

–20

0.070 @ V = –2.7 V

S S

SO-8

Top View

D D

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

"12

= 25_C

= 70_C

"5.4

"4.4

"20

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–2.6

= 25_C

= 70_C

2.5

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70125

S-00652—Rev. J, 27-Mar-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

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