SI9433BDY-E3

更新时间： 2024-11-11 21:54:07

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	69K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI9433BDY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.31	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI9433BDY-E3 数据手册

Si9433BDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.040 @ V = −4.5 V

−6.2

−5.0

−20

0.060 @ V = −2.7 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si9433BDY—E3 (Lead Free)

Si9433BDY-T1—E3 (Lead Free with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−20

"12

= 25_C

= 70_C

−6.2

−5.0

−4.5

−3.5

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−20

Continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.3

2.5

−1.2

1.3

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.6

0.8

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 72755

S-40242—Rev. A, 16-Feb-04

www.vishay.com

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