SI9428DY

更新时间： 2024-11-11 22:33:59

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	39K
描述
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI9428DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI9428DY 数据手册

Si9428DY

Vishay Siliconix

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.03 @ V = 4.5 V

0.04 @ V = 2.5 V

5.2

SO-8

Top View

Ordering Information: Si9428DY

Si9428DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

4.8

Pulsed Drain Current

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.7

= 25_C

= 70_C

2.5

a, b

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v10 sec

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

C/W

Steady State

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v10 sec.

Document Number: 70810

S-03950—Rev. C, 26-May-03

www.vishay.com

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