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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7615DN-T1-GE3
SI7615DN-T1-GE3 PDF预览

SI7615DN-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 09:25:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 580K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7615DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：22.6 A
最大漏源导通电阻：0.0039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：52 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7615DN-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si7615DN  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
- 35a  
- 35a  
- 35a  
®
0.0039 at VGS = - 10 V  
0.0055 at VGS = - 4.5 V  
0.0098 at VGS = - 2.5 V  
•
•
•
•
- 20  
62 nC  
100 % UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
®
PowerPAK 1212-8  
•
•
•
Adaptor Switch  
Battery Switch  
Load Switch  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
1
S
S
2
S
3
G
4
D
8
G
D
7
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7615DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
D
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
12  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
V
- 35a  
- 35a  
- 22.6b, c  
- 18.2b, c  
- 80  
- 35a  
- 3.3b, c  
- 20  
20  
52  
33  
3.7b, c  
2.4b, c  
- 55 to 150  
260  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
IAS  
EAS  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
33  
°C/W  
Steady State  
RthJC  
1.9  
2.4  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 81 °C/W.  
Document Number: 64722  
S09-1224-Rev. C, 29-Jun-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7617DN VISHAY

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