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SI7617DN-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
13页 581K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI7617DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.55雪崩能效等级（Eas）：42 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：13.9 A最大漏源导通电阻：0.0123 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：52 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7617DN-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si7617DN  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)d, g  
- 35  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.0123 at VGS = - 10 V  
0.0222 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100% Rg Tested  
100% UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 30  
20.5 nC  
- 35  
PowerPAK® 1212-8  
S
APPLICATIONS  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
1
S
•
•
Notebook Battery Charging  
Notebook Adapter Switch  
2
S
3
G
G
4
D
8
D
7
D
6
D
5
D
Bottom View  
Ordering Information: Si7617DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
25  
- 35d  
- 35d  
- 13.9a, b  
- 11.1a, b  
- 60  
- 35d  
- 3.0a, b  
- 29  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
IAS  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
EAS  
Single-Pulse Avalanche Energy  
42  
mJ  
W
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
52  
33  
PD  
Maximum Power Dissipation  
3.7a, b  
2.4a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)e, f  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
t ≤ 10 s  
Steady State  
33  
Maximum Junction-to-Case  
1.9  
2.4  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 81 °C/W.  
d. Package limited.  
e. See Solder Profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed cop-  
per (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
f. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
g. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 65164  
S09-1495-Rev. A, 10-Aug-09  
www.vishay.com  
1
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