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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.126 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI7818DN-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替  |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
|
| SI7818DN-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7621DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK |
|
| SI7623DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7625DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
|
| SI7625DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
|
| SI7629DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
|
| SI7629DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
|
| SI7633DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
|
| SI7634BDP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7634BDP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7634BDP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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