Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

更新时间： 2024-01-05 07:35:26

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	192K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI7658ADP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.73	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.0028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7658ADP-T1-GE3 数据手册

New Product

Si7658ADP

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

TrenchFET^®Gen III Power MOSFET

100 % R_gTested

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^{a, g}

RoHS

60^g

0.0022 at V_GS= 10 V

0.0028 at V_GS= 4.5 V

COMPLIANT

34 nC

• 100 % Avalanche Tested

PowerPAK^®SO-8

APPLICATIONS

•

Low-Side Switch for DC/DC Converters

- Servers

- POL

- VRM

6.15 mm

5.15 mm

OR-ing

Bottom View

Ordering Information: Si7658ADP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

60^g

36^{b, c}

29^{b, c}

60^g

4.9^{b, c}

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_A= 25 °C

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

I_AS

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

E_AS

125

_C= 70 °C

_A= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

5.4^{b, c}

3.4^{b, c}

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

°C/W

Steady State

R_thJC

1.0

1.5

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.

g. Package Limited.

Document Number: 68640

S-81218-Rev. A, 02-Jun-08

www.vishay.com

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SI7658ADP-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTMFS4935NT1G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 30 V, 93 A, Single N−Channel, SO−8 FL
IRFH5301TRPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与SI7658ADP-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7658DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7658DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7660AA	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660AA/883	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660BA	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660CA	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660CJ	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, PDIP8
SI7660CY	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, PDSO8
SI7660DJ	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, PDIP8
SI7660DY	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, PDSO8

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