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SI7658DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-25 21:14:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 98K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI7658DP-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI7658DP-T1-E3 数据手册

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Si7658DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
Halogen-free available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
RoHS  
60g  
60g  
0.0024 at VGS = 10 V  
0.00325 at VGS = 4.5 V  
COMPLIANT  
30  
48.5 nC  
100 % Avalanche Tested  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
•
Low-side Switch for DC/DC Converters  
S
- Servers  
- POL  
- VRM  
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
D
3
G
4
•
OR-ing  
D
8
D
7
D
6
G
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information: Si7658DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7658DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
60g  
60g  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
37b, c  
29.8b, c  
100  
60g  
5.6b, c  
50  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
125  
104  
66.6  
6.25b, c  
4.0b, c  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
15  
20  
°C/W  
Steady State  
RthJC  
0.9  
1.2  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed cop-  
per (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 54 °C/W.  
g. Package Limited.  
Document Number: 74966  
S-80440-Rev. B, 03-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7658DP-T1-GE3 VISHAY

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