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SI7658DP-T1-E3

更新时间： 2024-01-27 17:53:15

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威世 - VISHAY		/
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7页	98K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI7658DP-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	104 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI7658DP-T1-E3 数据手册

Si7658DP

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free available

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

RoHS

60^g

0.0024 at V_GS= 10 V

0.00325 at V_GS= 4.5 V

COMPLIANT

48.5 nC

100 % Avalanche Tested

PowerPAK SO-8

APPLICATIONS

•

Low-side Switch for DC/DC Converters

- Servers

- POL

- VRM

6.15 mm

5.15 mm

•

OR-ing

Bottom View

Ordering Information: Si7658DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7658DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

60^g

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

37^{b, c}

29.8^{b, c}

100

60^g

5.6^{b, c}

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

I_AS

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L = 0.1 mH

E_AS

125

104

66.6

6.25^{b, c}

4.0^{b, c}

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

°C

260

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

°C/W

Steady State

R_thJC

0.9

1.2

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed cop-

per (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is

not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 54 °C/W.

g. Package Limited.

Document Number: 74966

S-80440-Rev. B, 03-Mar-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7658DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7660AA	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660AA/883	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660BA	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660CA	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660CJ	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, PDIP8
SI7660CY	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, PDSO8
SI7660DJ	VISHAY	获取价格	Analog Circuit, CMOS, PDIP8
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