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SI7652DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-21 19:48:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
TRANSISTOR 15 A, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8, FET General Purpose Power

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SI7652DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：11.25 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.9 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7652DP-T1-E3 数据手册

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Si7652DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel Reduced Q , Fast Switching MOSFET  
g
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
15  
0.0185 at VGS = 10 V  
0.030 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
High-Efficient PWM Optimized  
100 % Rg and UIS Tested  
30  
12  
PowerPAK SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
D
8
D
G
7
D
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information: Si7652DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7652DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
a
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limits  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VGS  
25  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
15  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
12  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
40  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single-Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
3.2  
IAS  
EAS  
15  
L = 0.1 mH  
11.25  
3.9  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
2.5  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
- 55 to 150  
260  
°C  
a
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, b  
RthJA  
RthJC  
24  
7
32  
9
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board, t ≤ 10 s.  
b. Maximum under steady state condition is 75 °C/W.  
c. See Solder Profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
d. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 73485  
S09-0223-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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与SI7652DP-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7652DP-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 15 A, 30 V, 0.0158 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 20V, 0.0036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
SI7655DN VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI7655DN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
SI7658ADP VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7658ADP-T1-GE3 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7658DP-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7658DP-T1-GE3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7660AA VISHAY

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 		Analog Circuit, CMOS, MBCY8
SI7660AA/883 VISHAY

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 		Analog Circuit, CMOS, MBCY8

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