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SI4465ADY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 696K
描述
TRANSISTOR 13700 mA, 8 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4465ADY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.09配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：13.7 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：6.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Pure Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4465ADY-T1-GE3 数据手册

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Si4465ADY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
ID (A)b  
- 13.7  
- 12.4  
- 10  
Qg (Typ.)  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
1.8 V Rated  
0.009 at VGS = - 4.5 V  
0.011 at VGS = - 2.5 V  
0.016 at VGS = - 1.8 V  
•
•
55 nC  
- 8  
• 100 % Rg Tested  
S
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
D
Ordering Information: Si4465ADY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4465ADY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 8  
Unit  
V
VGS  
8
TA = 25 °C  
- 13.7  
- 11  
TA = 70 °C  
C = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
T
- 20  
TC = 70 °C  
- 16  
A
IDM  
IS  
- 40  
Pulsed Drain Current  
- 2.5  
40  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b  
ISM  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
3.0  
1.95  
6.5  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
4.2  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
34  
67  
15  
41  
80  
19  
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)a  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
°C/W  
RthJF  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t ≤ 10 s.  
Document Number: 73856  
S09-0393-Rev. B, 09-Mar-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4465DY VISHAY

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 		P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4465DY-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI4465DY-T1 VISHAY

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 		P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4465DY-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4466 FAIRCHILD

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 		Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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