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Si4466DY

更新时间： 2024-11-20 12:02:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 230K
描述
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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Si4466DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：13.2 A最大漏极电流 (ID)：9.5 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

Si4466DY 数据手册

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Si4466DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
13.5  
11  
Definition  
0.009 at VGS = 4.5 V  
0.013 at VGS = 2.5 V  
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
20  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
SO-8  
S
S
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
D
D
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4466DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4466DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
50  
V
VGS  
12  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
13.5  
10.5  
9.5  
7.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2.7  
3.0  
1.9  
1.36  
1.5  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.95  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
42  
84  
21  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
70  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
16  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.  
Document Number: 71820  
S09-0767-Rev. F, 04-May-09  
www.vishay.com  
1
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Si4466DY 替代型号

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