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SI4466DYS62Z

更新时间： 2024-11-20 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4466DYS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4466DYS62Z 数据手册

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January 2001  
Si4466DY  
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
• 15 A, 20 V. RDS(on) = 0.0075 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(on) = 0.010 Ω @ VGS = 2.5 V.  
• Low gate charge (47nC typical).  
• Fast switching speed.  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• High power and current handling capability.  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Battery protection  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
20  
V
V
A
12  
±
(Note 1a)  
(Note 1a)  
15  
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
4466  
Si4466DY  
13’’  
12mm  
2500 units  
2001 Fairchild Semiconductor International  
Si4466DY Rev. A  
12345

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与SI4466DYS62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4466DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Si4467 SILICON

获取价格

 		Highly configurable packet handler
SI4467-A2A-IM SILICON

获取价格

 		Telecom Circuit, QFN-2
SI4467DY FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
SI4467DY VISHAY

获取价格

 		Transistor,
SI4467DYD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
SI4467DYL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
SI4467DYS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
Si4468 SILICON

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 		Highly configurable packet handler
SI4468-7 SILICON

获取价格

 		Highly configurable packet handler

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