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SI4470EY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-20 15:51:11

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	90K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4470EY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.75 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI4470EY-T1-GE3 数据手册

Si4470EY

Vishay Siliconix

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)

12.7

11.7

Definition

0.011 at V_GS= 10 V

0.013 at V_GS= 6.0 V

•

TrenchFET^®Power MOSFETs

175 °C Maximum Junction Temperature

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

Primary Side Switch

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4470EY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si4470EY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

_A= 70 °C

12.7

10.6

9.0

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

7.5

I_DM

I_AS

I_S

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

3.1

3.75

2.6

1.5

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

1.85

1.3

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t  10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

Document Number: 71606

S10-2137-Rev. D, 20-Sep-10

www.vishay.com

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