SI4470EY-T1

更新时间： 2024-11-19 22:07:23

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4页	42K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI4470EY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.75 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4470EY-T1 数据手册

Si4470EY

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Extended Temperature Range

APPLICATION

0.011 @ V = 10 V

12.7

11.7

0.013 @ V = 6.0 V

D Primary Side Switch

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: Si4470EY

Si4470EY-T1 (with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

12.7

10.6

9.0

7.5

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Avalanch Current

L = 0.1 mH

Continuous Source Current (Diode Conduction)

3.1

3.75

2.6

1.5

1.85

1.3

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71606

www.vishay.com

S-03951—Rev. B, 26-May-03

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