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SI4465DY-E3

更新时间： 2024-11-20 21:01:55

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威世 - VISHAY		/
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4页	61K
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Transistor

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SI4465DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI4465DY-E3 数据手册

Si4465DY

Vishay Siliconix

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.009 @ V = -4.5 V

-14

-12

-10

0.011 @ V = -2.5 V

-8

0.016 @ V = -1.8 V

S S

SO-8

Top View

D D

Ordering Information: Si4465DY

Si4465DY-T1 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

-8

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

-14

-11

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-40

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-2.1

= 25_C

= 70_C

2.5

a, b

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

C/W

Steady State

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v10 sec.

Document Number: 70830

S-31989—Rev. B, 13-Oct-03

www.vishay.com

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