5秒后页面跳转
SI2356DS (KI2356DS) PDF预览

SI2356DS (KI2356DS)

更新时间: 2024-06-27 12:13:15
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN /
页数 文件大小 规格书
5页 1761K
描述
N-Channel MOSFET

SI2356DS (KI2356DS) 数据手册

 浏览型号SI2356DS (KI2356DS)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI2356DS (KI2356DS)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI2356DS (KI2356DS)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI2356DS (KI2356DS)的Datasheet PDF文件第5页 
SMD Type  
MOSFET  
N-Channel MOSFET  
SI2356DS (KI2356DS)  
SOT-23-3  
Unit: mm  
+0.2  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
3
Features  
VDS (V) = 40V  
ID = 4.3 A (VGS = 10V)  
1
2
RDS(ON) 51mΩ (VGS = 10V)  
RDS(ON) 54mΩ (VGS = 4.5V)  
RDS(ON) 70mΩ (VGS = 2.5V)  
+0.02  
-0.02  
+0.1  
0.15  
0.95  
-0.1  
+0.1  
-0.2  
1.9  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Rating  
40  
Unit  
V
V
DS  
GS  
Gate-Source Voltage  
V
±12  
4.3  
Tc=25℃  
Tc=70℃  
Ta=25℃  
Ta=70℃  
3.4  
I
D
Continuous Drain Current  
(TJ = 150)  
A
3.2  
2.6  
Pulsed Drain Current (t=100us)  
Power Dissipation  
I
DM  
20  
1.7  
Tc=25℃  
Tc=70℃  
Ta=25℃  
Ta=70℃  
t5 s  
1.1  
P
D
W
0.96  
0.62  
130  
75  
Thermal Resistance.Junction- to-Ambient  
Thermal Resistance.Junction- to-Foot  
Junction Temperature  
R
thJA  
thJF  
/W  
R
T
J
150  
-55 to 150  
Storage Temperature Range  
T
stg  
1
www.kexin.com.cn  

与SI2356DS (KI2356DS)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
Si2365EDS VISHAY

获取价格

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI2366DS VISHAY

获取价格

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI2366DS (KI2366DS) KEXIN

获取价格

N-Channel MOSFET
SI2367DS VISHAY

获取价格

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI2367DS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

P-CH MOSFET SOT-23 20V 66MOHM @ 4.5V - Tape and Reel
Si2369BDS VISHAY

获取价格

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Si2369DS VISHAY

获取价格

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI2369DS (KI2369DS) KEXIN

获取价格

P-Channel MOSFET