SI2303BDS

更新时间： 2024-11-20 06:11:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	43K
描述
P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET

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SI2303BDS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI2303BDS 数据手册

Si2303BDS

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^b

0.200 @ V = -10 V

-1.4

-1.0

-30

0.380 @ V = -4.5 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2303BDS (L3)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"20

T = 25_C

- 1.4

-1.1

-1.3

-1.0

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70_C

Pulsed Drain Current

-10

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-0.75

0.9

-0.6

0.7

T = 25_C

Power Dissipation

T = 70_C

0.57

0.45

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

120

140

145

175

thJA

C/W

Maximum Junction-to-Ambient

Notes

a. Pulse width limited by maximum junction temperature.

b. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

c. Surface Mounted on FR4 Board.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 72065

S-21980—Rev. A, 04-Nov-02

www.vishay.com

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