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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> RTR020P02
RTR020P02 PDF预览

RTR020P02

更新时间： 2024-02-26 09:56:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
Switching (-20V, -2.0A)

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RTR020P02 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.15
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RTR020P02 数据手册

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RTR020P02  
Transistors  
Switching (−20V, −2.0A)  
RTR020P02  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Low On-resistance.  
TSMT3  
2.9 0.1  
1.0MAX.  
2) Built-in G-S Protection Diode.  
3) Small and Surface Mount Package (TSMT3).  
0.85 0.1  
0.7 0.1  
+0.1  
0.4  
−0.05  
(3)  
0~0.1  
zApplication  
Power switching, DC / DC converter.  
(1)  
(2)  
0.95 0.95  
1.9 0.2  
+0.1  
0.16  
−0.06  
Each lead has same dimensions  
zStructure  
Silicon P-channel  
MOS FET  
Abbreviated symbol : TX  
zPackaging specifications  
zEquivalent circuit  
Package  
Taping  
TL  
(3)  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
RTR020P02  
(1)  
∗2  
∗1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
−20  
12  
Unit  
(1) Gate  
(2) Source  
(3) Drain  
(2)  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
V
V
Continuous  
Pulsed  
2.0  
A
Drain current  
∗1  
IDP  
8.0  
A
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
Pulsed  
IS  
−0.8  
−3.2  
1.0  
A
∗1  
∗2  
ISP  
A
Total power dissipation  
Channel temperature  
PD  
W
°C  
°C  
Tch  
Tstg  
150  
Range of Storage temperature  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Mounted on a ceramic board  
−55 to +150  
zThermal resistance (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
125  
Unit  
Channel to ambient  
Rth (ch-A)  
°C / W  
1/4  
12345

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RTR020P02 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDN340P ONSEMI

功能相似

 单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-20V，-2A，70mΩ
FDN342P FAIRCHILD

功能相似

 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
FDN340P FAIRCHILD

功能相似

 Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

与RTR020P02相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RTR020P02FRATL ROHM

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
RTR020P02HZG ROHM

获取价格

 		RTR020P02HZG是非常适用于开关应用的车载级高可靠性MOSFET。
RTR020P02TL ROHM

获取价格

 		Switching (−20V, −2.0A)
RTR025N03 ROHM

获取价格

 		2.5V Drive Nch MOS FET
RTR025N03FRATL ROHM

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
RTR025N03HZG ROHM

获取价格

 		RTR025N03HZG是非常适用于开关应用的车载级高可靠性MOSFET。
RTR025N03TL ROHM

获取价格

 		2.5V Drive Nch MOS FET
RTR025N05 ROHM

获取价格

 		2.5V Drive Nch MOSFET
RTR025N05FRATL ROHM

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 45V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
RTR025N05HZG ROHM

获取价格

 		RTR025N05HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applicati

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