是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.92 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.105 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e1 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK3019TL | ROHM |
类似代替 |
2.5V Drive Nch MOS FET | |
2SK3018T106 | ROHM |
功能相似 |
2.5V Drive Nch MOS FET | |
2N7002ET1G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RTR025R00FTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR025R10FTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR025R60FTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR026001BTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR026001FTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR026200DTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR026200FTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR026201DTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR026202DTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 | |
RTR026202FTH | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密芯片电阻 |