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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.86 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 45 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RTR030P02 | ROHM |
获取价格 |
Switching (-20V, -3.0A) |
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| RTR030P02FHA | ROHM |
获取价格 |
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies u |
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| RTR030P02FHATL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| RTR030P02FRATL | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| RTR030P02HZG | ROHM |
获取价格 |
RTR030P02HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applicati |
|
| RTR030P02TL | ROHM |
获取价格 |
SILICON P-CHANNEL MOS FET |
|
| RTR040N03 | ROHM |
获取价格 |
Switching (30V, 4.0A) |
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| RTR040N03_06 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch MOS FET |
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| RTR040N03HZG | ROHM |
获取价格 |
RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applicati |
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| RTR040N03HZGTL | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
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