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RM2000E

更新时间： 2024-11-18 03:36:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 高压
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts

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RM2000E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AC包装说明：PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.74配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：2000 V
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RM2000E 数据手册

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RM1200E  
THRU  
RM2000E  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
500 Milliamp  
High Voltage  
Silicon Rectifier  
1200 to 2000 Volts  
Features  
•
•
•
•
Low Cost  
Low Leakage  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Voltage  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
•
x
DO-214AC  
(SMAE)  
Maximum Ratings  
•
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
H
Cathode Band  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
Maximum Maximum  
J
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
1200V  
1500V  
1800V  
2000V  
RM1200E  
RM1500E  
RM1800E  
RM2000E  
RM12  
RM15  
RM18  
RM20  
1200V  
1500V  
1800V  
2000V  
840V  
1050V  
1260V  
1400V  
A
C
E
D
B
G
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
INCHES  
MIN  
.079  
.050  
.002  
---  
MM  
MIN  
DIM  
A
MAX  
.096  
.075  
.008  
.02  
MAX  
2.44  
1.90  
.20  
NOTE  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
500mA  
TA = 50°C  
2.01  
1.27  
.05  
B
C
D
---  
.51  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
30A  
8.3ms, half sine  
E
.030  
.189  
.157  
.090  
.060  
.208  
.180  
.115  
.76  
1.52  
5.30  
4.57  
2.92  
G
H
4.80  
4.00  
2.29  
Maximum  
J
Instantaneous  
Forward Voltage  
RM1200E-RM1800E  
RM2000E  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.090”  
VF  
IR  
2.0V  
3.0V  
IFM = 0.5A;  
TA = 50°C  
5.0µA  
50µA  
TA = 25°C  
TA = 100°C  
0.085”  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
30pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
0.070”  
www.mccsemi.com  
Revision: 1  
2007/01/26  
1 of 3  
123

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与RM2000E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM2000E-TP MCC

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 		500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts
RM2000-LTP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,
RM2000-LTP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,
RM2000-RTDW LITTELFUSE

获取价格

 		The RM2000 is a motor-monitoring device to be used in conjunction with the 777 family of p
RM2003 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 3.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 36 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM200B-17W2S-1 WINCHESTER

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 		17W2S D-SUB CONNECTOR
RM200C-21WA4S-0 WINCHESTER

获取价格

 		21WA4S GUIDE PIN PLATE ASSEMBLY
RM200CY-24S MITSUBISHI

获取价格

 		二极管模块 交流开关二极管 RM200CY-24S
RM200DA-20F MITSUBISHI

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 		HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200DA-24F MITSUBISHI

获取价格

 		HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE

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