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RM200CY-24S

更新时间: 2024-11-19 18:09:59
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三菱 - MITSUBISHI 开关二极管
页数 文件大小 规格书
6页 442K
描述
二极管模块 交流开关二极管 RM200CY-24S

RM200CY-24S 数据手册

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<Diode Modules>  
RM200CY-24S  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
Forward current IF .............…..............................… 2 0 0 A  
Repetitive peak reverse voltage VRRM .....................… 1 2 0 0 V  
Maximum junction temperature Tjmax ........................ 1 5 0 °C  
Flat base Type  
Copper base plate  
RoHS Directive compliant  
Recognized under UL1557, File E323585  
dual switch (Cathode Common)  
APPLICATION  
AC Motor Control, Motion/Servo Control, Power supply, etc.  
OUTLINE DRAWING & INTERNAL CONNECTION  
Dimension in mm  
INTERNAL CONNECTION  
Di1  
Tolerance otherwise specified  
G2 (NC)  
E2 (NC)  
Division of Dimension  
Tolerance  
±0.2  
0.5 to  
3
6
over  
over  
3
6
to  
±0.3  
C2E1  
E2  
C1  
Di2  
to 30  
±0.5  
E1 (NC)  
G1 (NC)  
over 30 to 120  
over 120 to 400  
±0.8  
±1.2  
Publication Date : April 2015  
TMH-1103  
1
Ver.1.0  

与RM200CY-24S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM200DA-20F MITSUBISHI

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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200DA-24F MITSUBISHI

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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200DG-130S MITSUBISHI

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HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200DY1-24S MITSUBISHI

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二极管模块 交流开关二极管 RM200DY1-24S
RM200HA-20F MITSUBISHI

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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200HA-24F MITSUBISHI

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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200HA-40F MITSUBISHI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon,
RM200N120HD RECTRON

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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T2 RECTRON

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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T7 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (