型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM200DA-20F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200DA-24F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200DG-130S | MITSUBISHI |
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HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200DY1-24S | MITSUBISHI |
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二极管模块 交流开关二极管 RM200DY1-24S | |
RM200HA-20F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200HA-24F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200HA-40F | MITSUBISHI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon, | |
RM200N120HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM200N120T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM200N120T7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( |