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RM200N40DF

更新时间： 2024-10-15 18:09:59

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	316K
描述
Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 81.4 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 67.5 W;Vgs(th) (typ) : 1.7 V;Input Capacitance (Ciss) : 5480 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : PDFN5X6-8L

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RM200N40DF 数据手册

ꢀ

ꢀ ꢀ

RM200N40DF

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Feature

ꢀ 40V,200A

R_DS

_˅ꢀꢁꢂꢁm¡˜V_GS=10V (TYP:0.9m¡)

_˅ꢀꢁꢂꢃm¡˜V_GS=4.5V (TYP:1.3m¡)

ꢀ Split Gate Trench Technology

ꢀ Lead free product is acquired

ꢀ Excellent R _DS

and Low Gate Charge

Application

ꢀ PWM applications

ꢀ Load Switch

ꢀ Power management

Halogen-free

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

PDFN5X6-8L

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity (PCS)

RM200N40DF

PDFN5*6-8L

13 inch

5000

G011N04G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ć unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

f20

200

Continuous Drain Current (T_a=25ć)

Continuous Drain Current (T_a=100ć)

Pulsed Drain Currenr ⁽¹⁾

I_D

124

I_DM

560

Singel Pulsed Avalanche Energy ⁽²⁾

E_AS

P_D

441

Power Dissipation

67.5

Thermal Resistance from Junction to Case

Junction Temperature

R_θJC

T_J

1.85

ć/W

150

Storage Temperature

T_STG

-55~ +150

2022-10/59

REV:A

ꢀ

12 3 4 5 6 7 8

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