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RM200HA-40F

更新时间： 2024-09-15 21:02:27

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		快速恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon,

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RM200HA-40F 技术参数

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES

RM200HA-20F,-24F

HIGH SPEED SWITCHING USE

INSULATED TYPE

RM200HA-20F,-24F

• IDC

DC current ................................ 200A

• VRRM Repetitive peak reverse voltage

................. 1000/1200V

• trr

Reverse recovery time .............0.8µs

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

Free wheel use, Welders

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

53.5

43.3

φ5.3

3–M4

3.5

LABEL

Feb.1999

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM200N120HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N40DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N40DFV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N85HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N85T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.55 mOhms;Total Gate Charge (
RM2012	ETC	获取价格	RM series, ultra-precision & ultra-reliability metal film chip network resistors
RM2012A-102/102-PBVW10	ETC	获取价格	RES NETWORK 2 RES 1K OHM 0805
RM2012A-102/103-PBVW10	ETC	获取价格	RES NETWORK 2 RES MULT OHM 0805