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RM200DA-20F

更新时间: 2024-11-17 22:23:47
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 整流二极管开关局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE

RM200DA-20F 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XUFM-X3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X3最大非重复峰值正向电流:4000 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:200 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.8 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RM200DA-20F 数据手册

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MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES  
RM200DA-20F,-24F  
HIGH SPEED SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
RM200DA-20F,-24F  
IDC  
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
........ 1000/1200V  
Reverse recovery time .............0.8µs  
DC current ................................ 200A  
trr  
Insulated Type  
UL Recognized  
Yellow Card No. E80276 (N)  
File No. E80271  
APPLICATION  
Free wheel use, Welders  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
(93)  
4–φ6.5  
25  
25  
21.5  
K2A1  
K1  
A2  
SR2  
SR1  
K1A2  
A1  
K2  
3–M6  
17  
8
3
17  
8
17  
3
LABEL  
Feb.1999  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon,
RM200N120HD RECTRON

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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T2 RECTRON

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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T7 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N40DF RECTRON

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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n