是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-XUFM-X3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
应用: | FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.5 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流: | 4000 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 200 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1000 V |
最大反向恢复时间: | 0.8 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM200DA-24F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200DG-130S | MITSUBISHI |
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HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200DY1-24S | MITSUBISHI |
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二极管模块 交流开关二极管 RM200DY1-24S | |
RM200HA-20F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200HA-24F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM200HA-40F | MITSUBISHI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon, | |
RM200N120HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM200N120T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM200N120T7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM200N40DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n |