RM200DA-24F

更新时间： 2024-09-14 22:23:47

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三菱 - MITSUBISHI		整流二极管开关局域网快速恢复二极管
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3页	53K
描述
HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE

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RM200DA-24F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.5 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	4000 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	200 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向恢复时间：	0.8 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES

RM200DA-20F,-24F

HIGH SPEED SWITCHING USE

INSULATED TYPE

RM200DA-20F,-24F

• IDC

• VRRM Repetitive peak reverse voltage

........ 1000/1200V

Reverse recovery time .............0.8µs

DC current ................................ 200A

• trr

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

Free wheel use, Welders

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

(93)

4–φ6.5

21.5

K2A1

SR2

SR1

K1A2

3–M6

LABEL

Feb.1999

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RM200HA-24F	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200HA-40F	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon,
RM200N120HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N40DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N40DFV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n