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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
开关 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 50K |  |
| 描述 | ||
| HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE | ||
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PUFM-X3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.86 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED, FREE WHEELING | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 200 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向恢复时间： | 0.8 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CS241020 | POWEREX |
功能相似  |
Fast Recovery Single Diode Module 200 Amperes/1000 Volts |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM200HA-24F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| RM200HA-40F | MITSUBISHI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon, |
|
| RM200N120HD | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM200N120T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM200N120T7 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM200N40DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n |
|
| RM200N40DFV | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n |
|
| RM200N85HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (n |
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| RM200N85T2 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.55 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM2012 | ETC |
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RM series, ultra-precision & ultra-reliability metal film chip network resistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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