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RM200DY1-24S

更新时间： 2024-11-19 18:09:31

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		开关二极管
页数	文件大小	规格书
6页	469K
描述
二极管模块交流开关二极管 RM200DY1-24S

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RM200DY1-24S 数据手册

RM200DY1-24S

HIGH POWER SWITCHING USE

INSULATED TYPE

Forward current I_F.............…..............................… 2 0 0 A

Repetitive peak reverse voltage V_RRM.....................… 1 2 0 0 V

Maximum junction temperature T_jmax........................ 1 5 0 °C

●Flat base Type

●Copper base plate

●RoHS Directive compliant

●Recognized under UL1557, File E323585

dual switch (Cathode Common)

APPLICATION

AC Motor Control, Motion/Servo Control, Power supply, etc.

OUTLINE DRAWING & INTERNAL CONNECTION

Dimension in mm

INTERNAL CONNECTION

Di1

G2 (NC)

E2 (NC)

Tolerance otherwise specified

Division of Dimension

Tolerance

±0.2

0.5 to

over

±0.3

C2E1

Di2

to 30

±0.5

E1 (NC)

G1 (NC)

over 30 to 120

over 120 to 400

±0.8

±1.2

Publication Date : April 2015

TMH-1112

Ver.1.0

12 3 4 5 6

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与RM200DY1-24S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM200HA-20F	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200HA-24F	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM200HA-40F	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon,
RM200N120HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N40DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N40DFV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N85HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N85T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.55 mOhms;Total Gate Charge (