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RM200N120HD

更新时间： 2024-11-19 18:05:03
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 栅
页数 文件大小 规格书
8页 783K
描述
Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 68 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 357 W;Vgs(th) (typ) : 3.0 V;Input Capacitance (Ciss) : 6427 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-263(D2-PAK)

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RM200N120HD 数据手册

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RM200N120T2  
(HD)(T7)  
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Feature  
High Speed Power Smooth Switching  
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Enhanced Body diode dv/dt capability  
Enhanced Avalanche Ruggedness  
100% UIS Tested, 100% Rg Tested  
Lead Free  
,
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$
,
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Drain  
Pin2  
Application  
TO-263  
Synchronous Rectification in SMPS  
Hard Switching and High Speed Circuit  
Power Tools  
Gate  
Pin 1  
UPS  
Motor Control  
Src  
Pin3  
Halogen-free  
TO-220  
TO-247  
3DUWꢄ1XPEHU  
3DFNDJH  
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与RM200N120HD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM200N120T2 RECTRON

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 		Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T7 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N40DF RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N40DFV RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N85HD RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N85T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.55 mOhms;Total Gate Charge (
RM2012 ETC

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 		RM series, ultra-precision & ultra-reliability metal film chip network resistors
RM2012A-102/102-PBVW10 ETC

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 		RES NETWORK 2 RES 1K OHM 0805
RM2012A-102/103-PBVW10 ETC

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RM2012A-102/104-PBVW10 ETC

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 		RES NETWORK 2 RES MULT OHM 0805

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