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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | R-PUFM-D4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 应用： | HIGH POWER | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.35 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 | 最大非重复峰值正向电流： | 3500 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 150 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM150CZ-2H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM150CZ-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM150CZ-M | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM150DZ | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM150DZ-24 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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| RM150DZ-2H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM150DZ-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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| RM150DZ-M | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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| RM150M | ETC |
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R. F. Molded Chokes |
|
| RM150N100ADF | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 128 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.1 mOhms;Total Gate Charge ( |
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